拼多多出评助手资讯：存储芯片，大反转？

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来源： 内容编译自 tom'SHARDWARE

曾经价格低廉的固态硬盘（SSD，Solid State Drive）、动态随机存取内存（DRAM，Dynamic Random Access Memory）和机械硬盘（HDD，Hard Disk Drive），如今价格正快速攀升。人工智能（AI）需求激增与供应受限的双重作用，正造就多年来最紧张的市场格局。

几乎所有分析公司与内存制造商如今都在警告：NAND 闪存与 DRAM 内存即将出现短缺，未来数月乃至数年，固态硬盘与内存价格将大幅飙升，部分机构甚至预测短缺可能持续十年。这一潜在短缺已愈发难以忽视，行业发出的警告也愈发严峻——人工智能数据中心的巨大需求，已开始占据全球内存与闪存产能的主导地位。

过去两年多来，存储升级一直是电脑攒机者难得的 “好消息”。2023 年，固态硬盘价格暴跌至历史最低点，高性能 NVMe 固态硬盘的售价甚至与普通机械硬盘相差无几。DRAM 内存也紧随其后，价格跌至近十年未见的低位。但到了 2024 年，形势彻底逆转，NAND 闪存与 DRAM 内存价格双双开启上涨通道。

这一转变根源在于内存制造的周期性特征，但本次周期中，人工智能与超大规模数据中心运营商（hyperscalers）的极端需求进一步放大了这一趋势。最终结果是全行业范围的供应紧缩，几乎覆盖所有领域：从消费级固态硬盘、DDR4 内存套装，到企业级存储阵列、大容量机械硬盘出货量，所有品类都呈现出一个共同趋势——成本集体上涨，这种全面涨价的态势是市场多年来未曾出现过的。

从供应过剩到短缺：市场的剧烈反转

2022 年至 2023 年初的行业低迷期，让内存制造商陷入困境。当时 NAND 闪存与 DRAM 内存均低于成本价销售，库存大量积压。为 “止血”，制造商纷纷大幅减产。到 2023 年下半年，减产效应逐渐传导至销售渠道：曾跌至历史低点的 512Gb TLC（三级单元）NAND 闪存芯片现货价格，在短短六个月内上涨超 100%，合约价格也随之攀升。

这种价格反弹很快反映在零售市场上：2024 年初，西部数据（Western Digital）2TB Black SN850X 固态硬盘售价突破 150 美元；同期，三星（Samsung）990 Pro 2TB 固态硬盘价格从节假日期间的约 120 美元，飙升至 175 美元以上。

DRAM 内存市场的趋势比 NAND 闪存晚一个季度，但走势如出一辙。2023 年还被当作 “清仓品” 的 DDR4 内存模块，因生产线开始减产而陷入供应紧张。据预测，2025 年第三季度（Q3 2025）消费级 DDR4 内存价格将环比上涨 38%-43%，服务器级 DDR4 内存价格也将紧随其后，环比上涨 28%-33%。就连显存市场也开始承压：下一代显卡转向图形双倍数据速率 7 代（GDDR7，Graphics Double Data Rate 7）内存，导致 GDDR6 内存供应缺口扩大，价格上涨约 30%；而当前主流的 DDR5 内存，虽涨幅相对温和，但上升趋势已十分明确。

机械硬盘也面临自身的供应限制。2024 年 4 月，西部数据通知合作伙伴，因供应有限，将把机械硬盘价格上调 5%-10%。与此同时，市场研究机构集邦咨询（TrendForce）近期指出，数据中心使用的大容量近线机械硬盘（nearline HDDs）出现短缺。这一短缺迫使部分工作负载转向闪存，进一步加剧了 NAND 闪存的供应紧张。

人工智能的 “无尽需求”：本轮短缺的核心推手

每一轮内存市场周期都有一个或多个触发因素：过去是智能手机普及，随后是固态硬盘笔记本电脑兴起，再到云存储爆发。而本轮需求激增的核心驱动力，是人工智能。训练与部署大型语言模型需要海量内存与存储支持——一个训练集群中的单个 GPU 节点，就可能消耗数百 GB 的 DRAM 内存和数 TB 的闪存存储；在超大规模数据中心中，这一需求规模更是惊人。

OpenAI 的Stargate项目近期已与三星、SK 海力士（SK hynix）签署协议，每月采购多达 90 万片 DRAM 晶圆。仅这一订单规模，就占全球 DRAM 内存产量的近 40%。无论最终是否能完全兑现采购量，这类协议的存在本身就表明：人工智能企业正以极大规模锁定内存供应。

云服务提供商的行为也如出一辙。高密度 NAND 闪存产品已提前数月售罄：三星下一代 V9 NAND 闪存尚未发布，订单就已几乎满额；美光科技 2026 年底前的高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）产量，也已几乎全部预售完毕。曾经仅覆盖一个季度的供应合约，如今期限已延长至数年，超大规模数据中心运营商更是直接向源头厂商采购。

价格上涨的连锁反应：消费者端亦难幸免

供应短缺的连锁反应已传导至消费者市场。树莓派（Raspberry Pi）虽在行业低迷期囤积了内存，但受内存成本上涨影响，不得不在 2025 年 10 月上调产品价格：其计算模块 4（Compute Module 4）与计算模块 5（Compute Module 5）的 4GB 版本涨价 5 美元，8GB 版本涨价 10 美元。树莓派首席执行官埃本·厄普顿（Eben Upton）在官网声明中指出：“当前内存成本较一年前上涨了约 120%。”

投资重心转移：加剧主流产品供应紧张

短缺并非单纯由需求增速过快导致，供应方向的调整也是重要原因。过去十年，NAND 闪存与 DRAM 内存制造商已吸取教训：无节制的产能扩张往往导致行业崩盘——每一轮繁荣过后，随之而来的供应过剩都会侵蚀利润，因此本轮周期中，制造商的应对更为克制。

三星、SK 海力士、美光科技均已将资本支出转向 HBM 与先进制程节点。其中 HBM 因利润率极高，成为优先级最高的领域：美光 2026 年的全部 HBM 产量已被预订，而每一片用于生产 HBM 的晶圆，都意味着少一片用于生产 DRAM 的晶圆。NAND 闪存领域的情况类似，制造商的研发精力与产能正集中于面向企业客户的 3D QLC（四级单元）NAND 闪存。

中国台湾最大的NAND闪存控制器企业群联电子（Phison Electronics）的首席执行官表示，正是这种资本支出的转向，将导致未来十年供应持续紧张。他在近期采访中称：“NAND 闪存明年将面临严重短缺，我认为未来十年供应都会处于紧张状态。” 当被问及原因时，他解释道：“两点原因：首先，以往每次闪存制造商加大投资，都会导致价格崩盘，且从未收回投资成本；其次，2023 年美光与 SK 海力士因 HBM 利润率诱人，将大量资本支出转向该领域，留给闪存的投资就更少了。”

这种投资转移进一步加剧了主流产品的供应紧张：DDR4 内存的减产速度超过了需求下降速度；曾经供应充足的 TLC NAND 闪存，如今也因制造商将资源投向高利润领域而面临配额限制，导致那些虽较老旧但仍不可或缺的领域（如部分消费级产品）供应不足。

存储领域也呈现类似态势：NAND 闪存与机械硬盘首次同时面临供应限制。从历史规律看，以往二者往往 “此涨彼跌”——一方价格高企时，另一方可作为 “缓冲选择”。但训练大型 AI 模型需要处理 PB 级数据，而这些数据必须有存储载体：其中 “温数据”（warm data）通常存储在数据中心的近线机械硬盘中，但当前需求已高到大容量机械硬盘的交货周期延长至一年以上。

近线机械硬盘短缺迫使部分超大规模数据中心运营商加速部署 QLC 闪存阵列——这虽解决了机械硬盘的瓶颈，却又制造了新的问题：将需求压力重新传导至 NAND 闪存供应链。固态硬盘首次在过去因 “每 GB 成本过高” 而无法涉足的领域（如部分温数据存储）实现规模化应用。最终结果是 “双向挤压”：机械硬盘因供应限制涨价，固态硬盘则因云服务商介入填补空缺而价格坚挺。

为何不建造更多晶圆厂？多重限制下的无奈

晶圆厂确实在建设中，但这类项目成本高昂且投产周期长（在美国尤为明显）。一座新建内存晶圆厂造价高达数百亿美元，且需要数年时间才能实现量产；即便对现有产线进行扩建，也需要数月的设备安装与校准——而阿斯麦（ASML）、应用材料（Applied Materials）等设备供应商本身就面临严重的订单积压。

此外，制造商也警惕重蹈覆辙：若未来需求降温或企业囤积后暂停采购，产能过剩的市场可能导致价格暴跌。2019 年和 2022 年的行业崩盘教训仍历历在目，这使得企业即便面对当前看似 “无尽” 的 AI 需求，也不愿轻易押注长期周期——毕竟不少人认为，当前可能正处于人工智能泡沫之中。

地缘政治进一步加剧了这一困境。先进光刻设备出口管制、稀土元素限制等政策，使得机械硬盘晶圆厂的扩建计划更为复杂。机械硬盘依赖钕磁铁（Neodymium magnets）——这是需求最旺盛的稀土材料之一，而机械硬盘也是全球最大的稀土磁铁应用领域之一。目前中国主导全球稀土材料生产，且在中美持续贸易战中，已将限制磁铁供应作为对美反制措施之一。

即便有足够资金建设新厂，所需设备与材料的供应链本身也存在限制；加之半导体工程领域的人才短缺，进一步延缓了产能扩张进程。最终结果是制造商 “刻意保持克制”——选择以更高利润出售现有供应，而非承担再次崩盘的风险。

市场前景：价格高企或成常态，消费者与企业均受影响

制造商的这种保守策略短期内恐难改变。对消费者而言，这意味着 “超低价电脑升级” 时代的终结；对企业客户而言，则需要更高的基础设施预算——存储阵列、服务器、GPU 集群都需要更多内存，且成本更高。许多超大规模数据中心运营商会使用多家供应商的定制控制器自行生产固态硬盘；Pure Storage（纯存储公司）等大型企业则会大规模采购 NAND 闪存，为人工智能数据中心打造全闪存阵列。部分超大规模数据中心运营商已通过 “提前数年锁定供应” 应对短缺，但缺乏议价能力的小型运营商则面临更长的交货周期与更高的成本。

无论是消费者还是企业，灵活性都在下降：消费者可选择推迟升级或接受更小容量，但整体而言，这将减缓大容量硬盘与更大内存配置的普及速度；而对企业来说，鉴于内存在人工智能与云工作负载中的关键作用，几乎只能被动承担成本上涨。

市场最终会实现再平衡，但何时实现尚无法预测。目前已有政府激励措施支持新建晶圆厂，若未来需求增长放缓或采购停滞，市场周期可能重新转向供应过剩。

但在此之前，NAND 闪存、DRAM 内存、机械硬盘价格在 2026 年之前可能仍将居高不下。企业级采购商将继续享有优先供应权，消费者则需争夺剩余资源；而我们曾习以为常的 “季节性降价”，短期内可能不会重现。

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